Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

1N4003GHR0G

část skladu: 159

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHR0G

část skladu: 112

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R0G

část skladu: 119

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R0G

část skladu: 163

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HR0G

část skladu: 151

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820HR0G

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 475mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR0G

část skladu: 146

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHR1G

část skladu: 85

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHB0G

část skladu: 156

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHB0G

část skladu: 122

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHB0G

část skladu: 143

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G A0G

část skladu: 111

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 A0G

část skladu: 103

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003GHB0G

část skladu: 174

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHB0G

část skladu: 91

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HB0G

část skladu: 144

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G A0G

část skladu: 119

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4937GHB0G

část skladu: 108

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHA0G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1.5A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G R1G

část skladu: 116

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G B0G

část skladu: 149

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHR1G

část skladu: 94

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005GHR1G

část skladu: 140

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HR1G

část skladu: 112

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4933GHB0G

část skladu: 174

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 B0G

část skladu: 88

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 525mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G A1G

část skladu: 77

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821HB0G

část skladu: 90

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHR1G

část skladu: 134

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1T3G A0G

část skladu: 175

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935G R1G

část skladu: 94

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4935GHR1G

část skladu: 149

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHB0G

část skladu: 128

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006GHA0G

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHA0G

část skladu: 123

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817HR1G

část skladu: 141

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání