Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
PMXB75UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB75UPEZ

část skladu: 146149

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN2R9-30MLC,115

část skladu: 187425

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PMZ290UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNEYL

část skladu: 176774

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání
PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB29XPE,115

část skladu: 161790

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání
PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB43XPE,115

část skladu: 150444

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN6R0-30YL,115

část skladu: 110102

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 79A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMPB20ENZ
Nexperia USA Inc.

PMPB20ENZ

část skladu: 151810

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN038-100YLX

část skladu: 176205

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání
NX7002BKMYL
Nexperia USA Inc.

NX7002BKMYL

část skladu: 169872

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 350mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání
NX138BKWF
Nexperia USA Inc.

NX138BKWF

část skladu: 157911

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 210mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.

PMV65ENEAR

část skladu: 178628

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.7A, 10V,

Seznam přání
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV45EN2VL

část skladu: 177740

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.1A, 10V,

Seznam přání
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN015-100YLX

část skladu: 176542

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 69A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.

PMV65XPVL

část skladu: 186436

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN6R1-25MLDX

část skladu: 173485

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR

část skladu: 196012

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.3A, 10V,

Seznam přání
PMPB13XNE,115
Nexperia USA Inc.

PMPB13XNE,115

část skladu: 151250

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 4.5V,

Seznam přání
PMXB56ENZ
Nexperia USA Inc.

PMXB56ENZ

část skladu: 169018

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 10V,

Seznam přání
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.

PMT280ENEAX

část skladu: 142017

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání