Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
PMZB550UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

část skladu: 180213

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 590mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

Seznam přání
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

část skladu: 126580

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání
PMV50UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

část skladu: 147116

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Seznam přání
NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

část skladu: 139409

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Seznam přání
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

část skladu: 130425

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

část skladu: 133524

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

část skladu: 125231

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

část skladu: 189766

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMPB33XP,115
Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

část skladu: 189292

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

část skladu: 38801

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

část skladu: 199109

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání
PMZB290UNE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

část skladu: 111836

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

část skladu: 23900

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

část skladu: 108272

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

část skladu: 38384

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

část skladu: 164155

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PML260SN,118
Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

část skladu: 143183

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

Seznam přání
PMPB10XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

část skladu: 181421

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

Seznam přání
PMPB23XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

část skladu: 124658

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

Seznam přání
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

část skladu: 71793

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 110V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

část skladu: 62612

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

část skladu: 177703

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

část skladu: 134456

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

část skladu: 102564

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

část skladu: 162770

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V,

Seznam přání
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

část skladu: 39675

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

část skladu: 41338

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

část skladu: 167405

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 49A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
PMV50XPR
Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

část skladu: 136553

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Seznam přání
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

část skladu: 160382

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

část skladu: 129738

Typ FET: N-Channel, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

část skladu: 109327

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 900mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání
PMCM6501UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

část skladu: 195673

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V,

Seznam přání
PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

část skladu: 138063

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Seznam přání
PMCM4401UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

část skladu: 142773

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

část skladu: 21530

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Seznam přání