Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Nexperia USA Inc.

PMPB11EN,115

část skladu: 158882

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMV20ENR

část skladu: 101871

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R0-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-40YS,115

část skladu: 189736

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

NX7002AK,215

část skladu: 157756

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN7R5-30YLDX

část skladu: 150066

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 51A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN022-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN022-30PL,127

část skladu: 89373

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMV20XNER

část skladu: 125462

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 5.7A, 4.5V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMN30XPX

část skladu: 125076

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN7R5-60YLX

část skladu: 115986

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 86A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMZB200UNEYL

část skladu: 132087

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMV37EN2R

část skladu: 129683

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMN30UNX

část skladu: 174306

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN011-60MLX

část skladu: 102869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 61A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R

část skladu: 149382

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Seznam přání

PSMN7R0-60YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-60YS,115

část skladu: 153050

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R3-80ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-80ES,127

část skladu: 22139

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN069-100YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN069-100YS,115

část skladu: 174065

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMNR70-30YLHX

část skladu: 7882

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300A,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-60PSRQ

část skladu: 64148

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-30BLEJ

část skladu: 44079

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN0R7-25YLDX

část skladu: 77746

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R8-100BSEJ

Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100BSEJ

část skladu: 44113

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN004-60B,118

Nexperia USA Inc.

PSMN004-60B,118

část skladu: 42979

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN1R8-30BL,118

Nexperia USA Inc.

PSMN1R8-30BL,118

část skladu: 57853

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R4-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN4R4-80BS,118

část skladu: 46350

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R6-60BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60BS,118

část skladu: 74651

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN2R6-40YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R6-40YS,115

část skladu: 147546

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN8R5-100ESFQ

Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESFQ

část skladu: 82052

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 97A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN3R5-80ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-80ES,127

část skladu: 45689

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-40YLDX

část skladu: 76378

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

NX3020NAK,215

část skladu: 113818

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

PSMN2R8-25MLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-25MLC,115

část skladu: 193042

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN2R1-40PLQ

část skladu: 73170

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN017-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN017-30PL,127

část skladu: 74775

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

PSMN1R7-60BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-60BS,118

část skladu: 44392

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN009-100P,127

Nexperia USA Inc.

PSMN009-100P,127

část skladu: 56916

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

1135

«
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
»