Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

PSMN7R0-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100BS,118

část skladu: 55875

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-60PLQ

část skladu: 27251

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN5R0-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-100PS,127

část skladu: 22124

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN2R0-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30PL,127

část skladu: 42173

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PHB191NQ06LT,118

Nexperia USA Inc.

PHB191NQ06LT,118

část skladu: 67371

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN8R7-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS,118

část skladu: 87221

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

PSMN7R8-100PSEQ

Nexperia USA Inc.

PSMN7R8-100PSEQ

část skladu: 31596

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN6R5-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80PS,127

část skladu: 38019

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN6R3-120PS

část skladu: 23121

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 120V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN9R5-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS,118

část skladu: 72964

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMNR90-30BL,118

Nexperia USA Inc.

PSMNR90-30BL,118

část skladu: 42984

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN017-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS,118

část skladu: 121312

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

PSMN6R5-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS,118

část skladu: 73024

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN1R1-30EL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL,127

část skladu: 26255

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PHB47NQ10T,118

část skladu: 75280

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-30MLDX

část skladu: 114488

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PHB20N06T,118

část skladu: 191359

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

PSMN1R6-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30PL,127

část skladu: 22831

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN012-60YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN012-60YS,115

část skladu: 149981

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 59A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN3R5-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-30YL,115

část skladu: 192264

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN3R0-60ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60ES,127

část skladu: 31195

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN2R5-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL,115

část skladu: 195660

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN015-60PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN015-60PS,127

část skladu: 64261

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN4R8-100PSEQ

Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100PSEQ

část skladu: 17601

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN9R5-30YLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-30YLC,115

část skladu: 119194

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN7R0-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100PS,127

část skladu: 38971

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40PLQ

část skladu: 21760

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PHP30NQ15T,127

část skladu: 46960

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 29A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

PSMN3R3-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80PS,127

část skladu: 23446

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN017-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN017-80PS,127

část skladu: 59097

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PH955L,115

část skladu: 62022

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 62.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PMXB65UPEZ

část skladu: 100221

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Seznam přání

PSMN165-200K,518

Nexperia USA Inc.

PSMN165-200K,518

část skladu: 132385

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

PSMN2R2-40PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-40PS,127

část skladu: 31848

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

PSMN003-30P,127

Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

část skladu: 71600

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

část skladu: 39385

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tj), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

1135

«
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
»