Menu
češtinačeština
0RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

  • Domov
  •  
  • Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé
IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies

IRF6713STR1PBF

část skladu: 609

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání
IPP80N06S205AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S205AKSA1

část skladu: 792

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
IRFSL4115PBF
Infineon Technologies

IRFSL4115PBF

část skladu: 861

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Seznam přání
SN7002W L6327
Infineon Technologies

SN7002W L6327

část skladu: 839

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

Seznam přání
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies

IRFR3910TRPBF

část skladu: 188719

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies

IPU103N08N3 G

část skladu: 813

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 46A, 10V,

Seznam přání
IRFP4368PBF
Infineon Technologies

IRFP4368PBF

část skladu: 9954

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 195A, 10V,

Seznam přání
IPB34CN10NGATMA1
Infineon Technologies

IPB34CN10NGATMA1

část skladu: 809

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 27A, 10V,

Seznam přání
IPD160N04LGBTMA1
Infineon Technologies

IPD160N04LGBTMA1

část skladu: 818

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
IRFS4010-7PPBF
Infineon Technologies

IRFS4010-7PPBF

část skladu: 629

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

Seznam přání
IPD50R520CP
Infineon Technologies

IPD50R520CP

část skladu: 6089

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání
IRFS5620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFS5620TRLPBF

část skladu: 640

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
IRF7450TRPBF
Infineon Technologies

IRF7450TRPBF

část skladu: 105126

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání
IPB100N06S205ATMA1
Infineon Technologies

IPB100N06S205ATMA1

část skladu: 804

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
IRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7914TR2PBF

část skladu: 834

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V,

Seznam přání
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2H5ATMA1

část skladu: 808

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5053TRPBF

část skladu: 87092

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.3A (Ta), 46A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V,

Seznam přání
IRF6729MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6729MTR1PBF

část skladu: 821

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), 190A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

Seznam přání
IPI80N04S204AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA1

část skladu: 840

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N06S2L05AKSA1

část skladu: 750

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S209ATMA1

část skladu: 6080

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
SPP15N60CFDHKSA1
Infineon Technologies

SPP15N60CFDHKSA1

část skladu: 768

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 9.4A, 10V,

Seznam přání
IRF40R207
Infineon Technologies

IRF40R207

část skladu: 112715

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 55A, 10V,

Seznam přání
IPD068N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD068N10N3GBTMA1

část skladu: 759

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 90A, 10V,

Seznam přání
IRFHS8342TRPBF
Infineon Technologies

IRFHS8342TRPBF

část skladu: 198501

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.8A (Ta), 19A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Seznam přání
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies

IRFR15N20DTRPBF

část skladu: 131500

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání
IRLR8256TRPBF
Infineon Technologies

IRLR8256TRPBF

část skladu: 172098

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 81A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
IRFSL3004PBF
Infineon Technologies

IRFSL3004PBF

část skladu: 869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Seznam přání
IPB60R250CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R250CPATMA1

část skladu: 785

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Seznam přání
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S2L09ATMA1

část skladu: 6112

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 52A, 10V,

Seznam přání
IRFU4620PBF
Infineon Technologies

IRFU4620PBF

část skladu: 6147

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání
IPB12CN10N G
Infineon Technologies

IPB12CN10N G

část skladu: 756

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 67A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 67A, 10V,

Seznam přání
IRF7201TRPBF
Infineon Technologies

IRF7201TRPBF

část skladu: 109705

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.3A, 10V,

Seznam přání
IPP80N06S208AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S208AKSA1

část skladu: 809

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Seznam přání
IRLH7134TRPBF
Infineon Technologies

IRLH7134TRPBF

část skladu: 103354

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Ta), 85A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání
IRF7809AVTRPBF
Infineon Technologies

IRF7809AVTRPBF

část skladu: 163838

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 4.5V,

Seznam přání