Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

IPB147N03LGATMA1

Infineon Technologies

IPB147N03LGATMA1

část skladu: 800

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SPW07N60CFDFKSA1

Infineon Technologies

SPW07N60CFDFKSA1

část skladu: 796

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 4.6A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLR8729TRPBF

část skladu: 140819

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 58A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IPI80N04S306AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N04S306AKSA1

část skladu: 784

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFSL4615PBF

část skladu: 777

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

SPS02N60C3

část skladu: 778

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF8788TRPBF

část skladu: 136642

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF7805TRPBF

část skladu: 141172

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

Seznam přání

IPI100N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI100N08N3GHKSA1

část skladu: 756

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 46A, 10V,

Seznam přání

IRF6718L2TR1PBF

Infineon Technologies

IRF6718L2TR1PBF

část skladu: 867

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 61A (Ta), 270A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 61A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI08CN10N G

část skladu: 830

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 95A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLS3036PBF

část skladu: 817

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Seznam přání

IPS075N03LGAKMA1

Infineon Technologies

IPS075N03LGAKMA1

část skladu: 811

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI16CN10N G

část skladu: 759

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 53A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 53A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI12CN10N G

část skladu: 834

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 67A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPB06CN10N G

část skladu: 759

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLS3034PBF

část skladu: 14565

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

Seznam přání

SPP15N65C3HKSA1

Infineon Technologies

SPP15N65C3HKSA1

část skladu: 838

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

Seznam přání

IPP80N06S2L09AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S2L09AKSA1

část skladu: 815

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 52A, 10V,

Seznam přání

IPB26CN10NGATMA1

Infineon Technologies

IPB26CN10NGATMA1

část skladu: 794

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

Seznam přání

IPA60R520CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA60R520CPXKSA1

část skladu: 816

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFS4115PBF

část skladu: 15359

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLSL3034PBF

část skladu: 826

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

Seznam přání

IPP47N10SL26AKSA1

Infineon Technologies

IPP47N10SL26AKSA1

část skladu: 795

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 33A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFH8202TRPBF

část skladu: 97443

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Ta), 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IPA50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA50R399CPXKSA1

část skladu: 64746

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399 mOhm @ 4.9A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFS3107PBF

část skladu: 11356

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI070N08N3 G

část skladu: 785

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 73A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF9321TRPBF

část skladu: 158648

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

IPI90R1K0C3XKSA1

Infineon Technologies

IPI90R1K0C3XKSA1

část skladu: 754

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF9335TRPBF

část skladu: 114872

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5.4A, 10V,

Seznam přání

IPW90R1K2C3FKSA1

Infineon Technologies

IPW90R1K2C3FKSA1

část skladu: 795

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF60B217

část skladu: 39192

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 36A, 10V,

Seznam přání

IPS12CN10LGBKMA1

Infineon Technologies

IPS12CN10LGBKMA1

část skladu: 824

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 69A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8 mOhm @ 69A, 10V,

Seznam přání

IPI60R520CPAKSA1

Infineon Technologies

IPI60R520CPAKSA1

část skladu: 786

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

IPB80N06S2L06ATMA1

Infineon Technologies

IPB80N06S2L06ATMA1

část skladu: 781

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 69A, 10V,

Seznam přání

3600

«
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
»