Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

IRFH7885TRPBF

část skladu: 2020

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFS7534PBF

část skladu: 21178

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP037N08N3GHKSA1

část skladu: 1965

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF1404LPBF

část skladu: 25076

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 162A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFSL3607PBF

část skladu: 39373

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP030N10N3GHKSA1

část skladu: 1962

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFR9N20DTRPBF

část skladu: 158569

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.6A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPA60R330P6XKSA1

část skladu: 35461

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFS7730-7PPBF

část skladu: 14874

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP057N08N3GHKSA1

část skladu: 6219

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

SPI12N50C3HKSA1

část skladu: 1997

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF6729MTRPBF

část skladu: 1803

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Ta), 190A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF8308MTR1PBF

část skladu: 1827

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Ta), 150A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 27A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPA65R099C6XKSA1

část skladu: 10434

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP70N10S312AKSA1

část skladu: 41390

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 70A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRF40B207

část skladu: 61572

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 95A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 57A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPU50R950CEAKMA1

část skladu: 118200

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.2A, 13V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP086N10N3GHKSA1

část skladu: 1986

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLMS2002GTRPBF

část skladu: 1817

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

SPI15N65C3HKSA1

část skladu: 1983

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

SPI11N60C3HKSA1

část skladu: 6238

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPU80R1K0CEBKMA1

část skladu: 1869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFR7740PBF

část skladu: 40930

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 87A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 52A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI65R099C6XKSA1

část skladu: 10482

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPA60R800CEXKSA1

část skladu: 76331

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP032N06N3GHKSA1

část skladu: 1975

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPD50R280CEATMA1

část skladu: 1971

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFSL3006PBF

část skladu: 11684

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPB60R230P6ATMA1

část skladu: 59375

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPB120N04S402ATMA1

část skladu: 68205

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA2

část skladu: 47016

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPU60R1K5CEAKMA1

část skladu: 136787

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRLIZ34NPBF

část skladu: 63148

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IRFS4115TRLPBF

část skladu: 42939

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPD50R650CEATMA1

část skladu: 123763

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 1.8A, 13V,

Seznam přání

Infineon Technologies

IPP084N06L3GHKSA1

část skladu: 2005

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání