Typ | Popis |
Stav součásti | Obsolete |
---|---|
Typ FET | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 11.6A (Tc) |
Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (max.) | ±20V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 125W (Tc) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Through Hole |
Balíček zařízení dodavatele | PG-TO262-3-1 |
Balení / pouzdro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Stav RoHS. | Rohs kompatibilní |
---|---|
Úroveň citlivosti vlhkosti (MSL) | Nelze použít |
Stav životního cyklu | Zastaralý / Konec života |
Kategorie | Dostupné zásoby |