Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 40

ZVN2120ASTOB

část skladu: 9780

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

část skladu: 5991

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP1320A

část skladu: 9856

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

část skladu: 9843

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

část skladu: 9873

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

část skladu: 9849

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

část skladu: 9836

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 110mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

část skladu: 9826

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

část skladu: 6076

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

část skladu: 9875

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 310mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

část skladu: 9822

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

část skladu: 9832

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 480mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

část skladu: 6070

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

část skladu: 9812

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

část skladu: 5985

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

VN10LFTC

část skladu: 9787

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

část skladu: 5987

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

část skladu: 9889

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

část skladu: 9824

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

část skladu: 9843

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

část skladu: 9836

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

část skladu: 9837

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 350V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

část skladu: 9821

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3310A

část skladu: 85236

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

část skladu: 9838

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

část skladu: 9816

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 45mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

část skladu: 9830

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

část skladu: 6016

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

část skladu: 9856

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

část skladu: 6003

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

část skladu: 9873

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

část skladu: 9841

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

část skladu: 9861

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

část skladu: 9864

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

část skladu: 9833

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

část skladu: 5997

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Seznam přání