Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

DMPH4015SK3Q-13

část skladu: 153451

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), 45A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A25K

část skladu: 45

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP4A16KTC

část skladu: 132124

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN4800LSS-13

část skladu: 147833

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4047SK3-13

část skladu: 118854

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206AV

část skladu: 87204

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A25G

část skladu: 89

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT6004LPS-13

část skladu: 108071

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP6180SK3-13

část skladu: 177093

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2120GTC

část skladu: 9891

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4310GTC

část skladu: 9817

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.67A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOA

část skladu: 9876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 450mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOB

část skladu: 9873

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3310FTC

část skladu: 9787

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOB

část skladu: 9804

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN10A11GTC

část skladu: 5653

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3A01FTC

část skladu: 9882

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2120A

část skladu: 9800

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2120GTC

část skladu: 9816

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 320mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2120ASTZ

část skladu: 9857

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOB

část skladu: 9807

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 175mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOA

část skladu: 9880

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOB

část skladu: 5985

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 350V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206GVTC

část skladu: 9835

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOA

část skladu: 9796

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 270mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOA

část skladu: 9811

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 350V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM61N03FTC

část skladu: 9837

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 910mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM62P03GTA

část skladu: 9884

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTZ

část skladu: 9789

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206AVSTOB

část skladu: 9831

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOA

část skladu: 9826

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOA

část skladu: 9795

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 110mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOB

část skladu: 9805

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 450mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4424ASTOB

část skladu: 9790

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOB

část skladu: 9868

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTC

část skladu: 6049

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 700mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

1420

«
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
»