Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 40

ZVN0545GTC

část skladu: 6034

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120GTC

část skladu: 9865

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 320mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4210GTC

část skladu: 9792

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 800mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOA

část skladu: 9897

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 175mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP1320FTC

část skladu: 9890

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM64P02XTC

část skladu: 9847

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOA

část skladu: 9886

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOA

část skladu: 9873

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOB

část skladu: 9872

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 45mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124Z

část skladu: 9869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM61P02FTC

část skladu: 9856

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 900mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM62N03GTA

část skladu: 198171

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTZ

část skladu: 9869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 900mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOB

část skladu: 9798

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6TC

část skladu: 9848

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TC

část skladu: 9886

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOB

část skladu: 9876

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM61P03FTC

část skladu: 6070

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4306ASTZ

část skladu: 9824

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP10A17GTA

část skladu: 9879

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TC

část skladu: 9898

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTZ

část skladu: 9864

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A07FTC

část skladu: 9807

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTZ

část skladu: 9778

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3320FTC

část skladu: 9845

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOB

část skladu: 9808

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4106FTC

část skladu: 9807

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTZ

část skladu: 9868

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN2120ASTOA

část skladu: 6009

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

část skladu: 9863

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4306GTC

část skladu: 6072

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOA

část skladu: 9803

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOB

část skladu: 9875

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOB

část skladu: 9853

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4210ASTOB

část skladu: 9809

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 450mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVNL110GTC

část skladu: 9813

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání