Diody - Usměrňovače - Pole | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

MBRD660CTG

část skladu: 81424

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

část skladu: 69

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.05V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

část skladu: 1564

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

část skladu: 1548

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

část skladu: 1563

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

část skladu: 1533

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

část skladu: 1212

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

část skladu: 1519

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

část skladu: 3870

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

část skladu: 1156

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

část skladu: 3030

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

část skladu: 1552

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

část skladu: 1213

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

část skladu: 972

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

část skladu: 1324

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 200A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

část skladu: 1192

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

část skladu: 3096

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

část skladu: 1844

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

část skladu: 1342

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

část skladu: 1491

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

FST160150

část skladu: 1636

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

část skladu: 100592

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 970mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

část skladu: 109388

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

část skladu: 128134

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 730mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

část skladu: 102836

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

část skladu: 67167

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

část skladu: 116952

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

část skladu: 121490

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 730mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

část skladu: 47709

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 640mV @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

část skladu: 159782

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.01V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

část skladu: 58911

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

část skladu: 40301

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

část skladu: 120106

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 90V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

část skladu: 157

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

část skladu: 152

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.23V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

část skladu: 3747

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání