Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn | Diskrétní polovodičové v&yacu | 88

ADTA143ZUAQ-7

část skladu: 152

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-13

část skladu: 126718

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-7

část skladu: 131267

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-13

část skladu: 123811

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-13

část skladu: 101827

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC143ZUAQ-13

část skladu: 182

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-13

část skladu: 128

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-13

část skladu: 147

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-13

část skladu: 126

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-7

část skladu: 9928

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-7

část skladu: 9985

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-7

část skladu: 132443

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-7

část skladu: 149741

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-7

část skladu: 162255

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-7

část skladu: 9972

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-7

část skladu: 167067

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-7

část skladu: 145892

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-13

část skladu: 103821

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-13

část skladu: 169878

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-13

část skladu: 107782

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms,

Na přání

Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-13

část skladu: 1775

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 135F E6327

část skladu: 2128

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR158E6327HTSA1

část skladu: 111325

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR562E6327HTSA1

část skladu: 174692

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR198E6393HTSA1

část skladu: 2061

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 519 E6327

část skladu: 2048

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 198T E6327

část skladu: 2013

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 47 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR166WE6327HTSA1

část skladu: 2057

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 162L3 E6327

část skladu: 2049

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR141WE6327HTSA1

část skladu: 2073

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 119 E6433

část skladu: 2021

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 129F E6327

část skladu: 2023

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 133F B6327

část skladu: 1978

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR108WE6327BTSA1

část skladu: 2069

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR 101T E6327

část skladu: 1992

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 100 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 100 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BCR505E6778HTSA1

část skladu: 5409

Typ tranzistoru: NPN - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 500mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Na přání