Diody - Usměrňovače - Pole | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

MBRT60040R

část skladu: 959

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

část skladu: 1239

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 200A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

část skladu: 1084

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

FST12080

část skladu: 1525

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

část skladu: 1065

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

část skladu: 1133

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

část skladu: 1485

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

část skladu: 1082

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

část skladu: 1091

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

část skladu: 1273

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

část skladu: 985

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

část skladu: 992

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

část skladu: 3422

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

FST12030

část skladu: 1597

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

FST12040

část skladu: 1554

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

část skladu: 148724

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

část skladu: 142397

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

část skladu: 72988

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 890mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

část skladu: 152283

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

část skladu: 65447

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

část skladu: 56553

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

část skladu: 115587

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 810mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

část skladu: 103984

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

část skladu: 73453

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 730mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

část skladu: 76935

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

část skladu: 179092

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 980mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

část skladu: 124

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 710A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 2500A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

část skladu: 104

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 2200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 540A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.48V @ 1700A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

část skladu: 113

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 171A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.26V @ 500A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

část skladu: 137

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 260A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.32V @ 800A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

část skladu: 1918

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

část skladu: 116897

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Na přání

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

část skladu: 164

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

část skladu: 51931

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 850mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

část skladu: 190167

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Na přání

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

část skladu: 122752

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 890mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání