Menu
češtinačeština
0RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

část skladu: 81443

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

část skladu: 281

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Na přání
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

část skladu: 305

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Na přání
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

část skladu: 251

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Na přání
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

část skladu: 339

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Na přání
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

část skladu: 277

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Na přání
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

část skladu: 6047

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Na přání
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

část skladu: 5654

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2V, 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Na přání
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

část skladu: 6088

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Na přání
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

část skladu: 245

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Na přání
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

část skladu: 306

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Na přání
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

část skladu: 82285

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 270mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Na přání
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

část skladu: 311

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Na přání
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

část skladu: 246

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

Na přání
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

část skladu: 264

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Na přání
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

část skladu: 303

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Na přání
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

část skladu: 298

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Na přání
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

část skladu: 227

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Na přání
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

část skladu: 295

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Na přání
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

část skladu: 228

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Na přání
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

část skladu: 265

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Na přání
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

část skladu: 257

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 350mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Na přání
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

část skladu: 321

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Na přání
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

část skladu: 290

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Na přání
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

část skladu: 6061

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Na přání
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

část skladu: 238

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 680mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

Na přání
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

část skladu: 303

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 430mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

Na přání
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

část skladu: 301

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Na přání
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

část skladu: 253

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

Na přání
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

část skladu: 270

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Na přání
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

část skladu: 290

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

Na přání
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

část skladu: 6106

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Na přání
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

část skladu: 276

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Na přání
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

část skladu: 251

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

Na přání
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

část skladu: 232

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

Na přání
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

část skladu: 276

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Na přání