Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

BSS138W-TP

část skladu: 114968

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

část skladu: 133510

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Na přání

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

část skladu: 173921

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

část skladu: 147786

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

část skladu: 151561

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

část skladu: 139015

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

část skladu: 154692

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 620mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

část skladu: 149949

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

část skladu: 1204

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

část skladu: 1178

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

část skladu: 1626

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73A H

část skladu: 1233

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

část skladu: 1190

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

část skladu: 1217

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ31L H

část skladu: 1152

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

část skladu: 1196

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Na přání

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

část skladu: 1174

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK7D25-40EX

část skladu: 9923

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK7905-40AIE,127

část skladu: 28752

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK6228-55C,118

část skladu: 183525

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 31A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 10A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK9610-100B,118

část skladu: 61512

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK6607-55C,118

část skladu: 123826

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK962R8-60E,118

část skladu: 53057

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Nexperia USA Inc.

BUK7635-55A,118

část skladu: 157535

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 20A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BMS4003

část skladu: 1258

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BXL4001

část skladu: 1160

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 85A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BMS3003

část skladu: 1228

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 78A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4007

část skladu: 1221

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4036

část skladu: 1229

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4004

část skladu: 1163

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4037

část skladu: 1124

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BMS4007

část skladu: 1121

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4026

část skladu: 6121

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BFL4001

část skladu: 1193

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

část skladu: 6191

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

NXP USA Inc.

BUK9875-100A,115

část skladu: 1199

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

Na přání