Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

AUIRFS3107-7P

část skladu: 5670

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 160A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3006-7P

část skladu: 1427

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 168A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3107

část skladu: 1472

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3006

část skladu: 1501

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3004-7P

část skladu: 1459

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR9024N

část skladu: 1486

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 6.6A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3004

část skladu: 1495

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR4620

část skladu: 1462

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR4615

část skladu: 1430

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 33A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR3806

část skladu: 1449

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR3607

část skladu: 1433

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR2407

část skladu: 1488

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR3504

část skladu: 1436

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR1018E

část skladu: 1437

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR2405

část skladu: 1465

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 34A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFP2907

část skladu: 12172

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 125A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFL014N

část skladu: 6205

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.9A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFL024N

část skladu: 1499

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.8A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF7478Q

část skladu: 1485

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFB3806

část skladu: 91857

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF3808S

část skladu: 1445

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 106A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF7207Q

část skladu: 1488

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF3504

část skladu: 72876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 87A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 52A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF3315S

část skladu: 6215

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 12A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF2903ZS

část skladu: 1407

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF3007

část skladu: 51629

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 48A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF2903ZL

část skladu: 36401

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF2805S

část skladu: 6153

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 135A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 104A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF2807

část skladu: 47359

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 43A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF1018ES

část skladu: 1445

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 79A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLZ44ZSTRL

část skladu: 1416

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRL1404STRL

část skladu: 33693

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFZ24NSTRR

část skladu: 1458

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFR3504TRL

část skladu: 1467

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 56A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

Na přání

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2411

část skladu: 1470

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V,

Na přání

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW480

část skladu: 1448

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Ta), 180A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Na přání