Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
kategorie produktů
Diskrétní polovodičové v&yacu
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI508

část skladu: 1478

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Na přání

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2400

část skladu: 1473

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 8A, 2.5V,

Na přání

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7754

část skladu: 162472

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Ta), 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRF2804S

část skladu: 17958

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLZ44ZS

část skladu: 1481

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLZ44ZL

část skladu: 74676

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLU3110Z

část skladu: 41622

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLU2905

část skladu: 94886

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLS4030-7P

část skladu: 1493

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLSL3036

část skladu: 28524

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLS3036

část skladu: 1449

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLS3036-7P

část skladu: 1458

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLS3034-7P

část skladu: 6197

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLS3034

část skladu: 1468

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 195A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR3636

část skladu: 6156

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR3915

část skladu: 1468

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR3114Z

část skladu: 1439

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 42A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR3110Z

část skladu: 1430

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 42A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR2908

část skladu: 1450

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR3105

část skladu: 1513

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR014N

část skladu: 1496

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 6A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLR120N

část skladu: 1440

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRLL024N

část skladu: 1452

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRL2203N

část skladu: 56647

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRL1404S

část skladu: 1419

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFZ46NL

část skladu: 69473

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 28A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFZ44NS

část skladu: 1515

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 49A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS4410Z

část skladu: 1455

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 97A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS4010-7P

část skladu: 1433

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS4010

část skladu: 1504

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3806

část skladu: 1415

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3607

část skladu: 1463

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3307Z

část skladu: 1466

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3306

část skladu: 1471

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3207Z

část skladu: 6161

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

Infineon Technologies

AUIRFS3206

část skladu: 1470

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

Na přání

3600

«
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
»