Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

2SJ438(AISIN,A,Q)

část skladu: 2215

Na přání

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Na přání

ON Semiconductor

2SJ661-1EX

část skladu: 2203

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SJ652-1EX

část skladu: 2120

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

část skladu: 2164

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3703-1EX

část skladu: 2124

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

část skladu: 2140

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4125-1EX

část skladu: 2103

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4098FS

část skladu: 2085

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4125-1E

část skladu: 6248

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

část skladu: 198740

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

část skladu: 1876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4124-1E

část skladu: 6267

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

část skladu: 1869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

část skladu: 1874

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

část skladu: 1810

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

část skladu: 1812

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4066-1E

část skladu: 1849

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

část skladu: 1839

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

část skladu: 1813

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3748-1E

část skladu: 10717

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

část skladu: 1843

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2N7002WST1G

část skladu: 1836

Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V,

Na přání

ON Semiconductor

2SK3707-1E

část skladu: 1889

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Na přání

Panasonic Electronic Components

2SK3064G0L

část skladu: 2106

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

Na přání

Central Semiconductor Corp

2N7002 BK

část skladu: 163082

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 115mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Na přání

Renesas Electronics America

2SK3431-Z-E1-AZ

část skladu: 1978

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 83A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

Na přání

Renesas Electronics America

2SK3431-AZ

část skladu: 1997

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 83A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

Na přání

Renesas Electronics America

2SK3430-Z-E1-AZ

část skladu: 1915

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

Na přání

Renesas Electronics America

2SK1518-E

část skladu: 1995

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

Na přání