Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

2SK3048

část skladu: 32345

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

2SK3043

část skladu: 31742

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

2SK3046

část skladu: 24158

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

2N6660

část skladu: 6315

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 410mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3746-1E

část skladu: 15517

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3703-1E

část skladu: 40945

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

2SJ652-1E

část skladu: 33065

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

2SK3745LS-1E

část skladu: 18892

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3747-1E

část skladu: 15610

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK4177-DL-1E

část skladu: 30646

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SJ661-DL-1E

část skladu: 57287

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 38A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

2SK1835-E

část skladu: 8930

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 15V,

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

část skladu: 2431

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

část skladu: 2436

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

část skladu: 2376

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

část skladu: 2410

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2381

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2411

2SK3813-Z-E1-AZ

část skladu: 2410

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2432

2SK3755-AZ

část skladu: 2464

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2426

2SK3483(0)-Z-E1-AY

část skladu: 2373

2SK3430(02)-S6-AZ

část skladu: 2429

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2448

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2405

2SK3377-Z-E2-AZ

část skladu: 2421

2SK3377-Z-E1-AZ

část skladu: 2392

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

část skladu: 2444

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

část skladu: 2402

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

část skladu: 2401

2SK3353-Z-E1-AZ

část skladu: 2397

2SJ648-T1-A

část skladu: 2396

2SK3564(STA4,Q,M)

část skladu: 36814

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

2N7002PM,315

část skladu: 2530

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V,

2N7002T,215

část skladu: 2571

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,