Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

SS10PH10HM3_A/I

část skladu: 162769

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESU06HM3/86A

část skladu: 131452

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 58ns,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ035S-M3

část skladu: 99125

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/86A

část skladu: 169112

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 4.3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 660mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P20-M3/86A

část skladu: 176312

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2.2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB735TRL-M3

část skladu: 108342

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB220-E3/73

část skladu: 130771

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6HM3_A/I

část skladu: 144

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 610mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45-M3/87A

část skladu: 149312

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 4.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3L-M3/87A

část skladu: 190377

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 560mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/I

část skladu: 166910

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 560mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035-M3

část skladu: 128064

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRHM3

část skladu: 101743

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 530mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FN-M3

část skladu: 161143

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB745-M3

část skladu: 135572

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 7.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRHM3

část skladu: 62347

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 630mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/87A

část skladu: 164679

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 4.3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040STRL-M3

část skladu: 108405

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045SHM3

část skladu: 84998

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 560mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTR-M3

část skladu: 170720

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ045S-M3

část skladu: 136953

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P10-M3/I

část skladu: 116

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 710mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1635TRR-M3

část skladu: 79609

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 16A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 630mV @ 16A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/I

část skladu: 141826

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 4A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2.5µs,

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10HM3/H

část skladu: 105

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TR-M3

část skladu: 151441

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRR-M3

část skladu: 88667

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045STRR-M3

část skladu: 75741

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNHM3

část skladu: 101827

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 530mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRR-M3

část skladu: 150423

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 5.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM12-M3/86A

část skladu: 122652

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6-M3/87A

část skladu: 152351

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 4.8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 620mV @ 7.5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/86A

část skladu: 192958

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 3.9A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45-M3/86A

část skladu: 160639

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 4.3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL50-M3/86A

část skladu: 170505

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 5.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 590mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRHM3

část skladu: 99865

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 810mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání