Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

  • Domov
  •  
  • Diody - Usměrňovače - Jednoduché
1N4007GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GP-M3/54

část skladu: 1962

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-M3/54

část skladu: 1959

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHM3/54

část skladu: 1993

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4006GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006GP-M3/54

část skladu: 1969

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4005GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GP-M3/54

část skladu: 1923

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4005GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHM3/54

část skladu: 1924

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4005GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-M3/54

část skladu: 1953

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4004GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GP-M3/54

část skladu: 1934

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4004GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHM3/54

část skladu: 1908

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4003GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GP-M3/54

část skladu: 1969

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4002GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-M3/54

část skladu: 1924

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4002GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPHM3/54

část skladu: 1979

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4001GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHM3/54

část skladu: 1985

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4001GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPE-M3/54

část skladu: 1938

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N3611GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-M3/54

část skladu: 1954

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání
1N4948GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP-M3/73

část skladu: 1968

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání
1N4947GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GP-M3/73

část skladu: 1925

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
1N4946GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GP-M3/73

část skladu: 1891

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání
1N4944GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GP-M3/73

část skladu: 1888

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Seznam přání
1N4937GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GP-M3/73

část skladu: 1955

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4937GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPEHE3/91

část skladu: 1958

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4937GPE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPE-E3/91

část skladu: 106682

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4936GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GP-M3/73

část skladu: 1937

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4934GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPEHE3/91

část skladu: 1948

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4934GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GP-M3/73

část skladu: 1942

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4934GPE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPE-E3/91

část skladu: 161912

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4933GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GP-M3/73

část skladu: 1903

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání
1N4249GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GP-M3/73

část skladu: 1911

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4247GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4247GP-M3/73

část skladu: 1947

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4246GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4246GP-M3/73

část skladu: 1953

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GP-M3/73

část skladu: 1951

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-M3/73

část skladu: 1909

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4007GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/91

část skladu: 1887

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání
1N4007GPEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/53

část skladu: 1937

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Seznam přání
1N4006GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006GP-M3/73

část skladu: 1901

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání
1N4005GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GP-M3/73

část skladu: 1936

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání