Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-E3

část skladu: 432

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFRC20PBF

část skladu: 72548

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Seznam přání

SI2303BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-E3

část skladu: 464

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.49A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4876DY-T1-E3

část skladu: 447

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-E3

část skladu: 396

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-E3

část skladu: 492

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-E3

část skladu: 6120

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 950mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SI8404DB-T1-E1

část skladu: 488

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

SI4435DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-E3

část skladu: 165891

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

Seznam přání

SI4850EY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1-GE3

část skladu: 107397

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

SI4401FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4401FDY-T1-GE3

část skladu: 16596

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.9A (Ta), 14A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

SI4483ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4483ADY-T1-GE3

část skladu: 135861

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFL110TRPBF

část skladu: 195752

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRF540PBF

část skladu: 38777

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRLU014PBF

část skladu: 69107

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRF520PBF

část skladu: 69178

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

Seznam přání

SI4435FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4435FDY-T1-GE3

část skladu: 16600

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

SI4463CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4463CDY-T1-GE3

část skladu: 176137

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

SI4465ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3

část skladu: 78275

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

Seznam přání

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9407BDY-T1-GE3

část skladu: 191332

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,

Seznam přání

SI4427BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-E3

část skladu: 134797

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

Seznam přání

SI4477DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4477DY-T1-GE3

část skladu: 113273

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V,

Seznam přání

SI4403CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4403CDY-T1-GE3

část skladu: 119611

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFL014TRPBF

část skladu: 96397

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRF530PBF

část skladu: 66592

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Seznam přání

SI4154DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4154DY-T1-GE3

část skladu: 110650

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFD210PBF

část skladu: 72598

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V,

Seznam přání

SQD50N04-5M6_T4GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

část skladu: 16520

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

SI4894BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4894BDY-T1-E3

část skladu: 125168

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

SI4848ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4848ADY-T1-GE3

část skladu: 16523

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.9A, 10V,

Seznam přání

SIHB24N65EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHB24N65EF-GE3

část skladu: 11106

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

IRFD024PBF

část skladu: 56811

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

SIHG050N60E-GE3

Vishay Siliconix

SIHG050N60E-GE3

část skladu: 9747

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 51A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

Seznam přání

Vishay Siliconix

SIHD12N50E-GE3

část skladu: 37002

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

SQM120N06-3M5L_GE3

Vishay Siliconix

SQM120N06-3M5L_GE3

část skladu: 35073

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

Seznam přání

SIHG47N60EF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG47N60EF-GE3

část skladu: 6708

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání

3600

«
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
»