Paměť | Integrované obvody (IC) | 7

R1EX25002ATA00I#S0

část skladu: 6995

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 2Kb (256 x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SI#B0

část skladu: 1111

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#S0

část skladu: 7632

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP5256ESP-7SI#S0

část skladu: 7289

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24064ATAS0I#S0

část skladu: 6885

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 64Kb (8K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-5SI#S0

část skladu: 7526

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24256BTAS0I#S0

část skladu: 6881

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24032ASAS0I#S0

část skladu: 6846

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 32Kb (4K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP5256ESP-7SR#S0

část skladu: 7311

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV3216RSD-7SI#S0

část skladu: 8101

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25016ATA00I#S0

část skladu: 7130

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 16Kb (2K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25008ASA00I#S0

část skladu: 7160

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 8Kb (1K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#S0

část skladu: 7394

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (1M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-7SR#S0

část skladu: 804

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25004ASA00I#S0

část skladu: 7093

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 4Kb (512 x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV1616RSD-5SI#S0

část skladu: 877

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25016ASA00I#S0

část skladu: 7116

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 16Kb (2K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASA-5SI#S0

část skladu: 7555

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0208BSA-5SI#S0

část skladu: 7389

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 2Mb (256K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ABG-5SI#S0

část skladu: 7471

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV1616RBG-5SI#B0

část skladu: 7638

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25002ASA00I#S0

část skladu: 6913

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 2Kb (256 x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ABG-7SI#B0

část skladu: 686

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP5256ESA-7SI#B0

část skladu: 599

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0408DSB-5SI#B0

část skladu: 640

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (512K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV1616AGSD-5S2#AC0

část skladu: 240

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0208BSA-5SI#B0

část skladu: 565

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 2Mb (256K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-5SI#B0

část skladu: 620

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-7SI#B0

část skladu: 624

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 2Mb (128K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV1616AGBG-5S2#AC0

část skladu: 1003

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-7SR#B0

část skladu: 715

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP5256ESP-7SR#B0

část skladu: 538

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#B0

část skladu: 615

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 2Mb (128K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP5256ESA-5SI#B0

část skladu: 533

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV1616AGSA-5S2#AA0

část skladu: 643

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASA-5SI#B0

část skladu: 658

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání