Paměť | Integrované obvody (IC) | 7

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

část skladu: 4912

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (512K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

část skladu: 4976

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (256K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

část skladu: 4968

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (256K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

HN58X25256FPIAG#S0

část skladu: 7301

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SR#S0

část skladu: 2787

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#S0

část skladu: 1295

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

část skladu: 4969

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (512K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

část skladu: 4966

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (512K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25512ATA00I#U0

část skladu: 2967

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 512Kb (64K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#B0

část skladu: 1286

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP0108ESN-7SR#S0

část skladu: 1264

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#S0

část skladu: 2847

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

část skladu: 4970

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (512K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

část skladu: 4987

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (256K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-5SR#B0

část skladu: 1209

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

HN58X25128FPIAG#S0

část skladu: 2777

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 128Kb (16K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#S0

část skladu: 1290

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

část skladu: 5022

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (256K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 45ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#B0

část skladu: 2826

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24064ASAS0I#U0

část skladu: 2743

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 64Kb (8K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#B0

část skladu: 3101

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 4Mb (256K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 12ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

HM28100TTI5SE

část skladu: 5535

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (1M x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#S0

část skladu: 3565

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24256BSAS0I#K0

část skladu: 9012

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV1616RBG-7SR#S0

část skladu: 2262

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 16Mb (1M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24512BTAS0I#S0

část skladu: 2254

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 512Kb (64K x 8), Frekvence hodin: 1MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#B0

část skladu: 9180

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#B0

část skladu: 8974

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24002ATAS0I#S0

část skladu: 2250

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 2Kb (256 x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24128BSAS0I#K0

část skladu: 8961

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 128Kb (16K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX25008ATA00I#S0

část skladu: 2254

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 8Kb (1K x 8), Frekvence hodin: 5MHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#S0

část skladu: 2391

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 256Kb (32K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1WV3216RBG-7SR#B0

část skladu: 9415

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 32Mb (2M x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1EX24008ASAS0I#U0

část skladu: 6440

Typ paměti: Non-Volatile, Formát paměti: EEPROM, Technologie: EEPROM, Velikost paměti: 8Kb (1K x 8), Frekvence hodin: 400kHz, Čas zápisu - Word, Page: 5ms,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#B0

část skladu: 9244

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 8Mb (512K x 16), Čas zápisu - Word, Page: 70ns,

Seznam přání

Renesas Electronics America

R1LP0108ESF-5SI#B0

část skladu: 8844

Typ paměti: Volatile, Formát paměti: SRAM, Technologie: SRAM, Velikost paměti: 1Mb (128K x 8), Čas zápisu - Word, Page: 55ns,

Seznam přání