Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 60

IXTA160N075T7

část skladu: 404

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA220N075T7

část skladu: 6052

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 220A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTP200N075T

část skladu: 402

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA70N085T

část skladu: 6119

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA182N055T

část skladu: 406

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 182A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA80N10T7

část skladu: 437

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTC240N055T

část skladu: 425

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 132A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFX44N50Q

část skladu: 4589

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTC160N10T

část skladu: 443

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 83A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFH36N55Q2

část skladu: 4733

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTQ200N075T

část skladu: 378

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTK180N15

část skladu: 4322

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA152N085T

část skladu: 427

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 152A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXUN350N10

část skladu: 490

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 350A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 175A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTQ160N085T

část skladu: 464

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTH250N075T

část skladu: 439

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTH280N055T

část skladu: 456

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTQ180N085T

část skladu: 413

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 180A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTH12N100L

část skladu: 4905

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 20V,

Seznam přání

IXYS

IXTC250N075T

část skladu: 425

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 128A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFV52N30P

část skladu: 383

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTQ280N055T

část skladu: 375

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA160N075T

část skladu: 353

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA98N075T

část skladu: 6117

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 98A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFT12N100

část skladu: 4589

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFV12N80PS

část skladu: 6127

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFH26N55Q

část skladu: 386

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA240N055T

část skladu: 384

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA88N085T7

část skladu: 395

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 88A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTV230N085T

část skladu: 415

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTH200N075T

část skladu: 406

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTC220N075T

část skladu: 417

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 115A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXFC10N80P

část skladu: 406

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc),

Seznam přání

IXYS

IXTH182N055T

část skladu: 385

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 182A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXTA200N085T

část skladu: 400

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 85V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání

IXYS

IXCY01N90E

část skladu: 414

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání