Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

IXFN100N20

IXFN100N20

část skladu: 3225

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFX60N55Q2

IXFX60N55Q2

část skladu: 3075

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
IXFX52N60Q2

IXFX52N60Q2

část skladu: 3262

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFN44N50Q

IXFN44N50Q

část skladu: 3237

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFK52N60Q2

IXFK52N60Q2

část skladu: 3233

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 52A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFR90N20Q

IXFR90N20Q

část skladu: 3149

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,

Seznam přání
IXFE73N30Q

IXFE73N30Q

část skladu: 3270

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 66A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 36.5A, 10V,

Seznam přání
IXTE250N10

IXTE250N10

část skladu: 3194

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250A,

Seznam přání
MKE38RK600DFELB

MKE38RK600DFELB

část skladu: 3215

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Seznam přání
IXFK60N55Q2

IXFK60N55Q2

část skladu: 3060

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
IXFG55N50

IXFG55N50

část skladu: 3276

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 48A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V,

Seznam přání
IXTV02N250S

IXTV02N250S

část skladu: 918

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 2500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání
IXFK44N55Q

IXFK44N55Q

část skladu: 3383

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání
IXFR24N100

IXFR24N100

část skladu: 3677

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 22A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání
IXFE48N50Q

IXFE48N50Q

část skladu: 3888

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 41A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V,

Seznam přání
IXFK24N90Q

IXFK24N90Q

část skladu: 3675

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 24A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFR27N80Q

IXFR27N80Q

část skladu: 3768

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 27A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 13.5A, 10V,

Seznam přání
FDM47-06KC5

FDM47-06KC5

část skladu: 3556

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 47A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Seznam přání
IXFR50N50

IXFR50N50

část skladu: 3534

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 43A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání
IXFK25N90

IXFK25N90

část skladu: 3518

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFL55N50

IXFL55N50

část skladu: 3234

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Tc),

Seznam přání
IXFV18N90PS

IXFV18N90PS

část skladu: 852

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXTC62N15P

IXTC62N15P

část skladu: 6094

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 36A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 31A, 10V,

Seznam přání
IXFK100N10

IXFK100N10

část skladu: 3655

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Seznam přání
IXTH60N10

IXTH60N10

část skladu: 3309

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 30A, 10V,

Seznam přání
IXTF1N400

IXTF1N400

část skladu: 975

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 4000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXTY01N100D

IXTY01N100D

část skladu: 26852

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V,

Seznam přání
IXFE44N50Q

IXFE44N50Q

část skladu: 3764

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 39A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání
MKE38RK600DFELB-TRR

MKE38RK600DFELB-TRR

část skladu: 3472

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Seznam přání
IXFR34N80

IXFR34N80

část skladu: 3603

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 28A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 17A, 10V,

Seznam přání
IXFX44N55Q

IXFX44N55Q

část skladu: 3548

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 44A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Seznam přání
IXFX21N100Q

IXFX21N100Q

část skladu: 3732

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

Seznam přání
IXFX74N50P2

IXFX74N50P2

část skladu: 906

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 74A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 500mA, 10V,

Seznam přání
IXFR25N90

IXFR25N90

část skladu: 3592

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc),

Seznam přání
IXFV12N90P

IXFV12N90P

část skladu: 900

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání
IXFK50N50

IXFK50N50

část skladu: 3520

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 10V,

Seznam přání