Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

IXFK72N20

část skladu: 2206

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V,

IXFX30N50

část skladu: 2220

IXFE180N20

část skladu: 1995

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 158A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM15N60

část skladu: 6303

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 15A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.5A, 10V,

IXFD40N30Q-72

část skladu: 2265

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V,

IXTM1316

část skladu: 2351

IXTH21N50Q

část skladu: 2247

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

IXFX80N15Q

část skladu: 2236

IXFH32N48Q

část skladu: 2208

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 480V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 32A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15A, 10V,

IXTM11P50

část skladu: 2327

IXFT40N30Q TR

část skladu: 6309

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 20A, 10V,

IXTM21N50L

část skladu: 2302

IXTM15N60

část skladu: 2333

IXFM11N80

část skladu: 2336

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 5.5A, 10V,

IXFN30N110P

část skladu: 1890

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 25A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

IXFD15N100-8X

část skladu: 2189

IXTM1630

část skladu: 2322

IXFJ15N100Q

část skladu: 2221

IXFH1837

část skladu: 2271

IXTY1R4N60P TRL

část skladu: 2308

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 700mA, 10V,

IXTM50N20

část skladu: 2338

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V,

IXTD4N80P-3J

část skladu: 2322

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V,

T-TD1R4N60P 11

část skladu: 2368

IXFN34N100

část skladu: 1652

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 34A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1766

část skladu: 2282

IXTM24N50L

část skladu: 2307

IXTK40P50P

část skladu: 4122

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 40A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V,

IXFN72N55Q2

část skladu: 1985

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 550V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 72A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP76P10T

část skladu: 13460

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 76A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFT74N20Q

část skladu: 2228

IXFH14N100Q

část skladu: 2253

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 7A, 10V,

IXFB30N120Q2

část skladu: 1609

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 30A (Tc),

IXFD80N10Q-8XQ

část skladu: 2255

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,

IXFN80N48

část skladu: 1727

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 480V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 80A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1627

část skladu: 2371

IXTM5N100

část skladu: 2291

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,