Tranzistory - bipolární (BJT) - jedn | Diskrétní polovodičové v&yacu | 6

BCR192WE6327HTSA1

část skladu: 1884

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 192T E6327

část skladu: 1842

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 192F E6327

část skladu: 1916

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

část skladu: 1847

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 192 B6327

část skladu: 1847

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

část skladu: 3227

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

část skladu: 1904

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 191T E6327

část skladu: 1869

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 189T E6327

část skladu: 1877

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 191F E6327

část skladu: 1883

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 189F E6327

část skladu: 1898

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

část skladu: 3268

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 22 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

část skladu: 1845

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 185T E6327

část skladu: 1848

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 185F E6327

část skladu: 1892

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

část skladu: 1871

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR183WE6327HTSA1

část skladu: 1865

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 183T E6327

část skladu: 1847

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 183L3 E6327

část skladu: 1907

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 183F E6327

část skladu: 3202

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 183 B6327

část skladu: 1927

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 179T E6327

část skladu: 1862

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 179L3 E6327

část skladu: 1836

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 179F E6327

část skladu: 1917

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR169WE6327HTSA1

část skladu: 1909

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 169T E6327

část skladu: 3183

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 169L3 E6327

část skladu: 1869

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 169F E6327

část skladu: 1913

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 166T E6327

část skladu: 1873

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 166L3 E6327

část skladu: 1856

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 166F E6327

část skladu: 1832

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR166B6327HTLA1

část skladu: 1908

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 47 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 164L3 E6327

část skladu: 1830

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 164T E6327

část skladu: 3231

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 164F E6327

část skladu: 1842

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 10 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BCR 162T E6327

část skladu: 1839

Typ tranzistoru: PNP - Pre-Biased, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100mA, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 50V, Rezistor - základna (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - základna vysílače (R2): 4.7 kOhms, DC proudový zisk (hFE) (min.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Seznam přání