Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Infineon Technologies

BSS138N E8004

část skladu: 164

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS138N E7854

část skladu: 6034

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS138N E6908

část skladu: 6083

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS138N E6433

část skladu: 174

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS127 E6327

část skladu: 172

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS126 E6906

část skladu: 106

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS126 E6327

část skladu: 152

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 21mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS123L7874XT

část skladu: 161

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS119 E7978

část skladu: 169

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS123 E6433

část skladu: 169

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS119 E7796

část skladu: 122

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSS119 E6433

část skladu: 145

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP92P E6327

část skladu: 140

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP615S2L

část skladu: 129

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP613P

část skladu: 153

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP373 E6327

část skladu: 119

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP324 E6327

část skladu: 172

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP372 E6327

část skladu: 155

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP320S E6433

část skladu: 110

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP320S E6327

část skladu: 88

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Seznam přání

BSP300L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

část skladu: 138

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP318S E6327

část skladu: 158

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP300 E6327

část skladu: 95

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 190mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP299 E6327

část skladu: 166

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 400mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP298 E6327

část skladu: 6031

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

BSP298L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

část skladu: 5657

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP296 E6433

část skladu: 127

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP297 E6327

část skladu: 144

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP149 E6906

část skladu: 78

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Seznam přání

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

část skladu: 6023

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP149 E6327

část skladu: 156

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 660mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Seznam přání

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

část skladu: 6085

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Seznam přání

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

část skladu: 106

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP135 E6906

část skladu: 6091

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Seznam přání

Infineon Technologies

BSP135 E6327

část skladu: 155

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Seznam přání

BSP129L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

část skladu: 84

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 350mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Seznam přání

3600

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»