Diody - Usměrňovače - Jednoduché

GP2D006A065A

část skladu: 25677

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D015A120B

část skladu: 7457

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D020A120B

část skladu: 5743

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP06S060D

část skladu: 2250

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D030A120B

část skladu: 4983

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 30A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 30A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D050A060B

část skladu: 3568

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 50A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 50A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP12S060D

část skladu: 16299

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 12A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D020A170B

část skladu: 2736

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1700V, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.75V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP60P120B

část skladu: 5284

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 60A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 60A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP36Z060B

část skladu: 2188

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 36A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 36A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP24P060B

část skladu: 2169

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 24A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 24A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D010A120B

část skladu: 10170

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D010A120C

část skladu: 7417

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP30P120B

část skladu: 2235

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 81A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 30A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP15S120A

část skladu: 2215

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 15A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP2D006A065C

část skladu: 25640

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 6A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.65V @ 6A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GDP50P120B

část skladu: 1330

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 50A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 50A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

GP3D050A120B

část skladu: 487

GP3D030A060B

část skladu: 9535

Typ diody: Schottky, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GP3D060A120B

část skladu: 9497

GP3D050A060B

část skladu: 9474