Typ: MOSFET, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 40A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 30A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 200A, Napětí: 1.25kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Full Bridge, Proud: 40A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Proud: 95A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 100A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 100A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 300A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 150A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 480A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 240A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 80A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 200A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 360A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 40A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 400A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 200A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Proud: 42A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 120A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 60A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 60A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 50A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Proud: 150A, Napětí: 1.7kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 160A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 120A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 200A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: SOT-227-4, miniBLOC,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 195A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
