Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 4

GP2M004A065FG

část skladu: 1889

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M004A060HG

část skladu: 1881

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M020A060N

část skladu: 6248

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M003A080H

část skladu: 1885

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M011A050HS

část skladu: 1850

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M005A050HS

část skladu: 1901

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M020A060M

část skladu: 1916

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M009A090NG

část skladu: 1918

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M008A050HG

část skladu: 1960

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M003A090PH

část skladu: 1956

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M005A040PG

část skladu: 1907

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 400V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M020A050N

část skladu: 28613

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 20A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PGH

část skladu: 1899

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M009A060H

část skladu: 1933

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M004A065PG

část skladu: 1880

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M018A020CG

část skladu: 1913

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M005A050HG

část skladu: 1935

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M010A060H

část skladu: 1950

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M006A065CH

část skladu: 1862

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M018A020FG

část skladu: 1939

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M006A065PH

část skladu: 1875

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M008A060PG

část skladu: 1919

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M006A065F

část skladu: 1887

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M009A020CG

část skladu: 1941

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M008A025CG

část skladu: 1900

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M009A090FH

část skladu: 1901

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M012A060F

část skladu: 1925

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M007A090H

část skladu: 1959

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M008A025PG

část skladu: 1935

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M003A050CG

část skladu: 1922

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 1.25A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M012A060H

část skladu: 1918

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP2M009A090FG

část skladu: 6240

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M006A070FH

část skladu: 6270

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M008A050FG

část skladu: 1931

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M016A025HG

část skladu: 1961

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání

Global Power Technologies Group

GP1M016A060N

část skladu: 1952

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 8A, 10V,

Seznam přání