Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 21

MBR8045

část skladu: 4200

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

část skladu: 2354

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

část skladu: 7100

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

část skladu: 2289

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

část skladu: 2377

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

část skladu: 5676

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 75ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

část skladu: 6031

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 85A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

část skladu: 7147

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

část skladu: 6017

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 85A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

část skladu: 2356

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

část skladu: 2350

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 70A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 70A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 110ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

část skladu: 2334

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

část skladu: 2296

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

část skladu: 2318

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

část skladu: 5231

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 300A,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

část skladu: 2307

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

část skladu: 2242

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

část skladu: 2232

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

část skladu: 311

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 8000V, Current - Average Rectified (Io): 50mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 4.6V @ 50mA, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

část skladu: 2319

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

část skladu: 2265

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

část skladu: 2239

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

část skladu: 2328

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

část skladu: 2310

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

část skladu: 2284

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

část skladu: 2270

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

část skladu: 2239

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

část skladu: 5225

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

část skladu: 2278

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

část skladu: 2301

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

část skladu: 2249

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

část skladu: 2239

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

část skladu: 2267

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

část skladu: 10367

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

část skladu: 20747

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

část skladu: 5683

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 3300V, Current - Average Rectified (Io): 300mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.2V @ 300mA, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání