Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 21

S400KR

část skladu: 2009

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 400A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 400A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

SD4145

část skladu: 6509

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR12M05

část skladu: 9525

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S85YR

část skladu: 7151

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 85A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

část skladu: 28962

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

část skladu: 37909

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 650V, Current - Average Rectified (Io): 1A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

část skladu: 1555

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S40Q

část skladu: 7175

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

část skladu: 5989

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 85A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR70G02

část skladu: 9642

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 70A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 70A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

část skladu: 2856

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2V @ 20A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S300YR

část skladu: 1824

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 300A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S40B

část skladu: 11196

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

část skladu: 17999

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 2A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

část skladu: 4212

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR30J02

část skladu: 7131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

část skladu: 2177

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S85VR

část skladu: 7084

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 85A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

část skladu: 4392

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 35A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

část skladu: 5997

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 85A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S85Q

část skladu: 7124

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 85A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S40KR

část skladu: 8348

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR40G02

část skladu: 7130

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

část skladu: 2457

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

část skladu: 1505

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

část skladu: 2179

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

část skladu: 771

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 50A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

část skladu: 7134

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 500ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

část skladu: 7177

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

část skladu: 1373

Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 1A, Rychlost: No Recovery Time > 500mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 0ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

část skladu: 7175

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 70A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 70A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FR30G02

část skladu: 7099

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 30A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S85JR

část skladu: 7155

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 85A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR3545

část skladu: 4428

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 680mV @ 35A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S300Y

část skladu: 1833

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Current - Average Rectified (Io): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 300A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

S85J

část skladu: 7670

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 85A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 85A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání