Diody - Usměrňovače - Pole

Domov
Diody - Usměrňovače - Pole

GeneSiC Semiconductor

MBRT20040

část skladu: 1226

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A06

část skladu: 3244

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTR

část skladu: 1155

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTS

část skladu: 1365

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247D

část skladu: 5080

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.8V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A200

část skladu: 2947

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FST16035

část skladu: 1345

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 160A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 160A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A045

část skladu: 2710

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040R

část skladu: 1073

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A045

část skladu: 3701

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A04

část skladu: 3385

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A045

část skladu: 3289

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 160A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A100

část skladu: 3572

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A02

část skladu: 3221

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTR

část skladu: 1234

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT600200R

část skladu: 820

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT400100

část skladu: 1123

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A100

část skladu: 3337

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 160A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A06

část skladu: 3768

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 30A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

část skladu: 1403

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600140(A)

část skladu: 673

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 600A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001R

část skladu: 750

Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60060(A)

část skladu: 682

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 600A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600100(A)

část skladu: 691

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 600A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080(A)

část skladu: 753

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 600A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045DL

část skladu: 877

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA600120(A)

část skladu: 675

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 600A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRTA6001

část skladu: 665

Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

GB10SLT12-247D

část skladu: 8816

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Silicon Carbide Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.9V @ 5A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRF120200

část skladu: 4536

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURF30020

část skladu: 4527

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTRL

část skladu: 4504

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTL

část skladu: 4475

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRF12030

část skladu: 4508

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRF30020

část skladu: 4526

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40040RL

část skladu: 4486

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

894

«
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
»