Diody - Usměrňovače - Pole | Diskrétní polovodičové v&yacu | 25

MBR20040CTR

část skladu: 1522

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

část skladu: 943

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

část skladu: 1136

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 250A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

část skladu: 809

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

část skladu: 3665

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

část skladu: 1190

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

část skladu: 945

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

část skladu: 3068

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 180V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

část skladu: 3870

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 120V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

část skladu: 1240

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

část skladu: 3284

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

část skladu: 4139

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

část skladu: 3894

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

část skladu: 1838

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 150V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

část skladu: 1368

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

část skladu: 1244

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

část skladu: 1544

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 840mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FST16060

část skladu: 1480

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 160A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 160A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

část skladu: 1000

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

část skladu: 1086

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

část skladu: 1907

Konfigurace diod: 1 Pair Series Connection, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

část skladu: 1554

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 920mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

část skladu: 956

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 600A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 300A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

část skladu: 1504

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

část skladu: 1881

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 120A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 60A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

část skladu: 1366

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 800mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

část skladu: 1238

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

část skladu: 1182

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 500A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 880mV @ 250A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

část skladu: 1172

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.7V @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

FST10045

část skladu: 1532

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

část skladu: 1119

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 400A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 200A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

část skladu: 1203

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

část skladu: 2901

Konfigurace diod: 2 Independent, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.35V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

část skladu: 958

Konfigurace diod: 1 Pair Common Anode, Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 2.6V @ 200A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

část skladu: 1562

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 200A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 100A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

část skladu: 1442

Konfigurace diod: 1 Pair Common Cathode, Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Proud - průměrný usměrněný (Io) (na diodu): 300A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 150A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Seznam přání