Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 40

DMN55D0UT-7

část skladu: 191428

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 160mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 100mA, 4V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2035UVT-7

část skladu: 182082

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4424ASTZ

část skladu: 148219

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 240V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMNH4011SK3-13

část skladu: 190219

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH6004SK3-13

část skladu: 132090

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A08GQTC

část skladu: 119

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2500UFB4-7

část skladu: 141543

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 810mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN10H170SK3Q-13

část skladu: 197

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3036SSS-13

část skladu: 122842

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 19.5A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG1012TQ-7

část skladu: 146318

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 630mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH4005SCT

část skladu: 53309

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3007LSS-13

část skladu: 195

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP45H4D9HJ3

část skladu: 219

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP3310FTA

část skladu: 101397

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 75mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3018SSS-13

část skladu: 167841

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH6004SCT

část skladu: 35803

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM62P02E6TA

část skladu: 162549

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT3009LFVW-13

část skladu: 131

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), 50A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14.4A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP210DUFB4-7B

část skladu: 102032

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH6005LK3-13

část skladu: 147333

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 50A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG4413LSS-13

část skladu: 182903

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH4004SK3-13

část skladu: 97869

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 90A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT6015LFV-7

část skladu: 174977

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM61N02FTC

část skladu: 123792

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 930mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3017SFGQ-13

část skladu: 149966

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG4496SSS-13

část skladu: 167372

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN0545G4TA

část skladu: 140905

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN15A27KTC

část skladu: 146

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.15A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP21D5UFB4-7B

část skladu: 194158

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 700mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970 mOhm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH6010SK3-13

část skladu: 148670

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16.3A (Ta), 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMNH10H028SK3Q-13

část skladu: 88077

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FQTA

část skladu: 168966

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMTH10H005SCT

část skladu: 147

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 140A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2038USS-13

část skladu: 161305

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN1004UFV-13

část skladu: 129329

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMPH6050SK3-13

část skladu: 160193

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 10V,

Seznam přání