Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Diodes Incorporated

BS107PSTOB

část skladu: 9842

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS170FTC

část skladu: 9815

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150µA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS107PSTOA

část skladu: 9830

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS127SSN-7

část skladu: 139832

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123ATA

část skladu: 9563

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123W-7

část skladu: 9261

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123-7

část skladu: 9289

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS84W-7

část skladu: 5967

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS138W-7

část skladu: 9210

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS84-7

část skladu: 5966

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS138-7

část skladu: 9161

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS870-7

část skladu: 9148

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS138TA

část skladu: 178827

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS84TA

část skladu: 8844

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS170FTA

část skladu: 141023

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 150µA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS250FTA

část skladu: 165036

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 45V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 90mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS250P

část skladu: 76312

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 45V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS870-7-F

část skladu: 145986

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BS107P

část skladu: 111049

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 120mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123-7-F

část skladu: 194929

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS127S-7

část skladu: 145342

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 50mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123W-7-F

část skladu: 104941

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123TA

část skladu: 164889

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

část skladu: 128372

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 170mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSN20-7

část skladu: 154699

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 500mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS138W-7-F

část skladu: 179213

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS84W-7-F

část skladu: 141466

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS84-7-F

část skladu: 115052

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 130mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

BSS138-7-F

část skladu: 190529

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP1096UCB4-7

část skladu: 195132

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Seznam přání

DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

část skladu: 44412

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG4N65CT

část skladu: 59554

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

část skladu: 101

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN1053UCP4-7

část skladu: 118

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN1017UCP3-7

část skladu: 198308

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 3.3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 3.3V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

část skladu: 61608

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

1420

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»