Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 40

DMNH10H028SK3-13

část skladu: 118876

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 55A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2215L-7

část skladu: 169317

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3B14FTA

část skladu: 178557

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3056L-7

část skladu: 161472

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3098L-7

část skladu: 126517

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP21D0UFB4-7B

část skladu: 104517

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 770mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN60H3D5SK3-13

část skladu: 199805

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2300U-7

část skladu: 100038

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.24A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN6140L-13

část skladu: 176015

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2160U-7

část skladu: 166058

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN5L06K-7

část skladu: 182292

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG2302U-7

část skladu: 182756

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG2305UX-13

část skladu: 107888

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3099L-7

část skladu: 109935

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP1022UFDE-7

část skladu: 197478

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3068L-7

část skladu: 125749

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG1013UW-7

část skladu: 131523

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 820mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4065S-7

část skladu: 130303

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN26D0UFB4-7

část skladu: 124455

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 230mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN10H220L-7

část skladu: 130232

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2075U-7

část skladu: 197480

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG3415U-7

část skladu: 102707

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG3406L-13

část skladu: 142489

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN5L06WK-7

část skladu: 159989

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2400UFB4-7

část skladu: 156142

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 750mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP10A13FTA

část skladu: 186248

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 600mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2075UDW-7

část skladu: 147859

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 3A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2035U-7

část skladu: 135678

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXM61N02FTA

část skladu: 177130

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 930mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

část skladu: 158680

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG1012UW-7

část skladu: 180686

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2100U-7

část skladu: 141173

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG301NU-13

část skladu: 191217

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3130L-7

část skladu: 197175

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG6968U-7

část skladu: 107882

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2305U-7

část skladu: 106755

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Seznam přání