Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé | Diskrétní polovodičové v&yacu | 40

DMN6068LK3-13

část skladu: 146789

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206GVTA

část skladu: 162028

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TA

část skladu: 111364

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT6016LSS-13

část skladu: 107043

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A08GTA

část skladu: 195664

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2022UFDF-7

část skladu: 122140

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3010LK3-13

část skladu: 181551

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 17A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN1019UVT-7

část skladu: 197994

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2005K-7

část skladu: 150453

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 2.7V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4025SFGQ-13

část skladu: 152166

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP2106A

část skladu: 76360

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 280mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN62D0U-7

část skladu: 123017

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 380mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4525ZTA

část skladu: 189179

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 240mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN62D0LFD-7

část skladu: 192194

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 310mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN601TK-7

část skladu: 153302

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN3B01FTA

část skladu: 109254

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A11ZTA

část skladu: 144706

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP10A18GTA

část skladu: 86664

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7B

část skladu: 115633

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3300U-7

část skladu: 188904

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP210DUFB4-7

část skladu: 144234

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 200mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3051L-7

část skladu: 193594

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4025SFG-13

část skladu: 170714

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.65A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN62D1LFD-7

část skladu: 121460

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 400mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3067LW-7

část skladu: 187183

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN10A08E6TA

část skladu: 163986

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMP3A17E6TA

část skladu: 120456

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN4206GTA

část skladu: 164447

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVP4525E6TA

část skladu: 70484

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 197mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

část skladu: 100355

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZVN3310FTA

část skladu: 140256

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 100mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP21D0UT-7

část skladu: 189691

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 590mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4051LK3-13

část skladu: 137296

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2018LFK-7

část skladu: 161716

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.2A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP32D4SW-7

část skladu: 148684

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT10H010LPS-13

část skladu: 108110

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.4A (Ta), 98A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V,

Seznam přání