Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Domov
Tranzistory - FET, MOSFET - jednotlivé

Diodes Incorporated

DMN10H700S-7

část skladu: 167763

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 700mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-7

část skladu: 174928

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 270mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT6008LFG-7

část skladu: 168252

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 13A (Ta), 60A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Seznam přání

DMP25H18DLFDE-13

Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-13

část skladu: 130078

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Seznam přání

DMP45H150DHE-13

Diodes Incorporated

DMP45H150DHE-13

část skladu: 156

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 450V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 250mA (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN53D0U-13

část skladu: 151731

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 300mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMS3014SFG-7

část skladu: 112747

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.5A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10.4A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3007SFG-13

část skladu: 130106

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 70A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2021UFDF-13

část skladu: 193018

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN7022LFGQ-13

část skladu: 251

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 23A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT3006LFG-13

část skladu: 131903

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 16A (Ta), 55.6A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2130LDM-7

část skladu: 154090

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP6185SE-13

část skladu: 191164

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2005UFG-13

část skladu: 179526

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 18.1A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP2005UFG-13

část skladu: 170890

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 89A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN62D1LFD-13

část skladu: 179581

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 400mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP4013LFG-7

část skladu: 199657

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP6250SE-13

část skladu: 196422

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 2.1A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3008SFG-13

část skladu: 168244

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 8.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN10H120SE-13

část skladu: 112364

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.6A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN6069SE-13

část skladu: 200

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 4.3A (Ta), 10A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 3A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMS3012SFG-7

část skladu: 103458

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN7022LFG-13

část skladu: 165834

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.2A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

ZXMN6A08GQTA

část skladu: 190

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 3.8A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP1005UFDF-7

část skladu: 200

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 26A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 5A, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN4008LFG-13

část skladu: 158827

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 14.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP6023LFG-13

část skladu: 199663

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 7.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMS3012SFG-13

část skladu: 116291

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 12A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP10H4D2S-13

část skladu: 114956

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 270mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMG301NU-7

část skladu: 164189

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 260mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-13

část skladu: 174144

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 11.7A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

Seznam přání

DMN30H4D0LFDE-7

Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-7

část skladu: 175306

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 550mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMT8012LFG-13

část skladu: 180404

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMP3026SFDE-7

část skladu: 155338

Typ FET: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 10.4A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN3027LFG-13

část skladu: 136104

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 5.3A (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6 mOhm @ 10A, 10V,

Seznam přání

Diodes Incorporated

DMN61D8L-7

část skladu: 191753

Typ FET: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C: 470mA (Ta), Napětí pohonu (Max Rds zapnuto, Min Rds zapnuto): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V,

Seznam přání

1420

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»