Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 3A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 1500Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 10A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 15A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 1 Phase, Proud: 35A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 20A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 20A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 1500Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 14A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500VDC, Balení / pouzdro: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 2A, Napětí: 500V, Napětí - izolace: 1000Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 15A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 2A, Napětí: 500V, Napětí - izolace: 1500Vrms, Balení / pouzdro: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 53A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 30A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 27-DIP Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 15A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 30A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 1.5A, Napětí: 500V, Napětí - izolace: 1500Vrms, Balení / pouzdro: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 10A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 4.1A, Napětí: 250V, Napětí - izolace: 1500Vrms, Balení / pouzdro: 27-PowerLQFN Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 8A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 30A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500VDC, Balení / pouzdro: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 25A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 150A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 200A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 25A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500VDC, Balení / pouzdro: 28-PowerDIP Module (1.882", 47.80mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 2 Phase, Proud: 30A, Napětí: 650V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 15A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 4A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase Inverter, Proud: 30A, Napětí: 650V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
Typ: IGBT, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 30A, Napětí: 600V, Napětí - izolace: 2000Vrms, Balení / pouzdro: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 240A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: 3 Phase, Proud: 80A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: IGBT, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 200A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,
Typ: MOSFET, Konfigurace: Half Bridge, Proud: 360A, Napětí: 1.2kV, Napětí - izolace: 2500Vrms, Balení / pouzdro: Power Module,