Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Tranzistory - IGBT - moduly

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

část skladu: 530

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 176W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

část skladu: 491

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

část skladu: 539

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Boost Chopper, Full Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 176W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

část skladu: 546

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 270W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

část skladu: 476

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 50A, Výkon - max: 90W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Na přání
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

část skladu: 466

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Boost Chopper, Full Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 270W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

část skladu: 528

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Boost Chopper, Full Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 156W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Na přání
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

část skladu: 540

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 40A, Výkon - max: 156W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Na přání
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

část skladu: 546

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 150A, Výkon - max: 340W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Na přání
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

část skladu: 487

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Full Bridge Inverter, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 25A, Výkon - max: 115W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Na přání
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

část skladu: 546

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Three Phase, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

část skladu: 5307

Typ IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurace: Boost Chopper, Full Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 150A, Výkon - max: 340W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Na přání
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

část skladu: 531

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

část skladu: 541

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

část skladu: 521

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Asymmetrical Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

část skladu: 490

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Dual Buck Chopper, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 100A, Výkon - max: 250W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

část skladu: 478

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Asymmetrical Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

část skladu: 540

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 130A, Výkon - max: 465W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

část skladu: 464

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 120A, Výkon - max: 520W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

část skladu: 555

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

část skladu: 545

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Half Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 120A, Výkon - max: 520W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

část skladu: 548

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

část skladu: 526

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Half Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 110A, Výkon - max: 357W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Na přání
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

část skladu: 526

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 760A, Výkon - max: 1600W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Na přání
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

část skladu: 482

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Three Phase, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 310W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

část skladu: 514

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 310W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

část skladu: 476

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Dual, Common Source, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

část skladu: 541

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Dual Buck Chopper, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 176W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

část skladu: 552

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Dual Buck Chopper, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 270W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

část skladu: 528

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Asymmetrical Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 176W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

část skladu: 3071

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 312W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

část skladu: 518

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 310W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

část skladu: 496

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Single, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 270W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

část skladu: 535

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Half Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1700V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 70A, Výkon - max: 310W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

část skladu: 520

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Half Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 600V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 80A, Výkon - max: 176W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Na přání
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

část skladu: 494

Typ IGBT: Trench Field Stop, Konfigurace: Half Bridge, Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.): 1200V, Proud - sběratel (Ic) (max.): 75A, Výkon - max: 270W, Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Na přání