Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

část skladu: 150

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

Na přání
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

část skladu: 5547

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

část skladu: 144

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

část skladu: 184

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

část skladu: 175

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

část skladu: 175

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

část skladu: 126

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

část skladu: 197

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

část skladu: 5071

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,

Na přání
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

část skladu: 126

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,

Na přání
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

část skladu: 142

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

část skladu: 182

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

část skladu: 164

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

část skladu: 174

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

část skladu: 100

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

část skladu: 115

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

část skladu: 5075

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

část skladu: 119

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

část skladu: 112

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.17V @ 80A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

část skladu: 133

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.17V @ 80A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

část skladu: 126

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 480ns,

Na přání
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

část skladu: 66

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.35V @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 480ns,

Na přání
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

část skladu: 72

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 190ns,

Na přání
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

část skladu: 115

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 190ns,

Na přání
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

část skladu: 115

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 80A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.25V @ 80A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 190ns,

Na přání
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

část skladu: 68

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,

Na přání
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

část skladu: 20

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 270ns,

Na přání
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

část skladu: 10015

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

část skladu: 9992

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

část skladu: 10041

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 60V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

část skladu: 5059

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 720mV @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

část skladu: 10060

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 8A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

část skladu: 10034

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 8A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 8A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 140ns,

Na přání