Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

2A01G-T
Diodes Incorporated

2A01G-T

část skladu: 5079

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
2A03-T
Diodes Incorporated

2A03-T

část skladu: 426

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
2A06G-T
Diodes Incorporated

2A06G-T

část skladu: 291

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 2A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045S

část skladu: 421

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15TS

část skladu: 156

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 15V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 410mV @ 19A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
249NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

249NQ135

část skladu: 199

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 135V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.07V @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20BQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030TR

část skladu: 158

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 470mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030

část skladu: 192

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 470mV @ 2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRR

část skladu: 135

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRL

část skladu: 100

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRR

část skladu: 176

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRL

část skladu: 155

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRL

část skladu: 178

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRR

část skladu: 130

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRR

část skladu: 160

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 20A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRL

část skladu: 94

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Na přání
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRR

část skladu: 112

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Na přání
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10FP

část skladu: 113

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Na přání
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRR

část skladu: 151

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Na přání
20ETF08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRL

část skladu: 117

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.31V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 400ns,

Na přání
20ETF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRR

část skladu: 5074

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Na přání
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRL

část skladu: 116

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Na přání
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRR

část skladu: 102

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Na přání
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04STRL

část skladu: 5088

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Na přání
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRL

část skladu: 146

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 20A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 160ns,

Na přání
200HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR80PV

část skladu: 90

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.45V @ 628A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR120PV

část skladu: 155

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.45V @ 628A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR40PV

část skladu: 107

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 200A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.45V @ 628A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15T

část skladu: 132

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 15V, Current - Average Rectified (Io): 20A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 410mV @ 19A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
243NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100R

část skladu: 161

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 860mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
243NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100

část skladu: 107

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 860mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
243NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ080

část skladu: 144

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 860mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
242NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030R

část skladu: 152

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
242NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030

část skladu: 159

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045

část skladu: 97

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 690mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045R

část skladu: 128

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 240A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 690mV @ 240A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání