Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

část skladu: 171

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

část skladu: 82

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

část skladu: 173

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

část skladu: 98

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

část skladu: 157

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

část skladu: 94

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 10A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

část skladu: 76

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.33V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 310ns,

Na přání
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

část skladu: 99

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.33V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 310ns,

Na přání
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

část skladu: 161

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.33V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 310ns,

Na přání
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

část skladu: 131

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.33V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 310ns,

Na přání
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

část skladu: 5088

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Na přání
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

část skladu: 145

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Na přání
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

část skladu: 152

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Na přání
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

část skladu: 153

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Na přání
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

část skladu: 112

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 145ns,

Na přání
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

část skladu: 160

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 18A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 18A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

část skladu: 71

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 760mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

část skladu: 130

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 10A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 760mV @ 10A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

část skladu: 112

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

část skladu: 135

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 950mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

část skladu: 74

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 510mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

část skladu: 104

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 660mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

část skladu: 95

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 660mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

část skladu: 137

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 660mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

část skladu: 156

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

část skladu: 137

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

část skladu: 5037

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 180A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 600mV @ 180A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

část skladu: 91

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 910mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

část skladu: 5020

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 80V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 910mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

část skladu: 69

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 490mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

část skladu: 130

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

část skladu: 5051

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

část skladu: 135

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

část skladu: 74

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 35V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 650mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

část skladu: 120

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 45V, Current - Average Rectified (Io): 120A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 570mV @ 120A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

část skladu: 4317

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1100V, Current - Average Rectified (Io): 1.4A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 60ns,

Na přání