Menu
češtinačeština
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diody - Usměrňovače - Jednoduché

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

část skladu: 168864

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

část skladu: 2917

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

část skladu: 4336

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

část skladu: 12061

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Na přání
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

část skladu: 9557

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Na přání
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

část skladu: 14337

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

část skladu: 7092

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

část skladu: 15967

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

část skladu: 10679

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

část skladu: 11089

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

část skladu: 7743

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

část skladu: 5530

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 9A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

část skladu: 35775

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Na přání
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

část skladu: 6439

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 9A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

část skladu: 6262

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 300mA (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 4ns,

Na přání
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

část skladu: 5407

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 1.2A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 45ns,

Na přání
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

část skladu: 6351

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 875mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 25ns,

Na přání
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

část skladu: 6290

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 9A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

část skladu: 1677

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 2A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 37.7A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Na přání
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

část skladu: 5411

Typ diody: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A (DC), Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 200mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 3µs,

Na přání
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

část skladu: 8604

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

část skladu: 7627

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 1A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

část skladu: 6582

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Na přání
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

část skladu: 24811

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 75V, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 50mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Doba zpětného zotavení (trr): 20ns,

Na přání
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

část skladu: 9843

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.6V @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 250ns,

Na přání
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

část skladu: 5319

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 9A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 150ns,

Na přání
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

část skladu: 6580

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 875mV @ 4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 30ns,

Na přání
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

část skladu: 6400

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 9A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

část skladu: 7979

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 70V, Current - Average Rectified (Io): 33mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1V @ 15mA, Rychlost: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Na přání
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

část skladu: 10754

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.3V @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

část skladu: 7965

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 9A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2µs,

Na přání
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

část skladu: 643

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 500mV @ 3A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

část skladu: 90011

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 450mV @ 1A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

část skladu: 90043

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 3A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 9.4A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

část skladu: 7939

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 3000V, Current - Average Rectified (Io): 600mA, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 5V @ 250mA, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 2.5µs,

Na přání
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

část skladu: 2626

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 1A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 750mV @ 3A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání