Diody - Usměrňovače - Jednoduché | Diskrétní polovodičové v&yacu | 100

1N1183AR

část skladu: 10983

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

část skladu: 3413

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1400V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3289A

část skladu: 3418

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

část skladu: 15082

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 40A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3295A

část skladu: 3423

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1000V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1189R

část skladu: 63

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N6095

část skladu: 5630

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 25A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N4588R

část skladu: 3431

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3882R

část skladu: 13616

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 6A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 6A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

část skladu: 3451

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N2129A

část skladu: 10804

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 60A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 60A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N6097

část skladu: 5607

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 50A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 700mV @ 50A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3212

část skladu: 14924

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 15A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3765R

část skladu: 9630

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 700V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1190

část skladu: 10824

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3766R

část skladu: 9633

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5833R

část skladu: 5570

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1186

část skladu: 13872

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N4588

část skladu: 3389

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3671A

část skladu: 13788

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.1V @ 12A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3890

část skladu: 15975

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 100V, Current - Average Rectified (Io): 12A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.4V @ 12A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Doba zpětného zotavení (trr): 200ns,

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5832R

část skladu: 5637

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 520mV @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

150KR20A

část skladu: 3465

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.33V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3210R

část skladu: 14992

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 15A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1189

část skladu: 11471

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 600V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3296A

část skladu: 3452

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N6096R

část skladu: 5597

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 40V, Current - Average Rectified (Io): 25A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 580mV @ 25A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5826

část skladu: 5569

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 440mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5826R

část skladu: 5576

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 20V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 440mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N1187

část skladu: 14520

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 300V, Current - Average Rectified (Io): 35A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.2V @ 35A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5827R

část skladu: 5573

Typ diody: Schottky, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 470mV @ 15A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

část skladu: 3442

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 200V, Current - Average Rectified (Io): 100A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 100A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3208

část skladu: 10062

Typ diody: Standard, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 50V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 15A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N4593R

část skladu: 3446

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 800V, Current - Average Rectified (Io): 150A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 150A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N5833

část skladu: 5595

Typ diody: Schottky, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 30V, Current - Average Rectified (Io): 40A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 550mV @ 40A, Rychlost: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Na přání

GeneSiC Semiconductor

1N3212R

část skladu: 13593

Typ diody: Standard, Reverse Polarity, Napětí - DC reverzní (Vr) (max.): 400V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If: 1.5V @ 15A, Rychlost: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Na přání